我国粉体网讯 碳化硅（SiC）作为第三代半导体资料，合适制造高温、高频、抗辐射及大功率器材，一度被视为新能源轿车范畴的抱负资料。特斯拉，曾打响SiC上车的榜首枪。2011年，科锐（现Wolfspeed）公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后，特斯拉发布第四款车型Model 3，该车型的主逆变器安装了24个意法半导体（ST）公司出产的SiC MOSFET功率模块。搭载24个SiC MOSFET功率模块的Model 3主逆变器（来历：NE年代）尔后，SiC不只成为半导体厂商剧烈涌进的抢手赛道，也在全球新能源车市场加快上车。不过转过头来，特斯拉在本年的投资者日活动上表明，为逐渐下降车辆本钱，方案鄙人一代电动轿车动力系统..